1、三极管的主要作用_三极管的放大作用的条件

对模拟信号进行8tTt8最基本的形式是放大。在生产实践和科学实验中，从传感器ssbbww的模拟信号通常都很微弱，只有经过ssbbww放大后才能进一步8tTt8，wwW.ssbbwW.coM使之具有足够的能量来驱动执行机构，完成特定的工作。放大电路的核心器件是三极管，三极管的主要作用_三极管的放大作用与三极管内部PN的特殊结构有关。

从
图5-1
和5-2可见，三极管犹如两个反向串联的PN结，8 tt t8.com孤立地看待这两个反向串联的PN结，或将两个普通二极管串联起来组成三极管，是不可能www.ssBBww.cOm具有三极管电流的放大作用。具有三极管的主要作用_三极管的电流放大作用的三极管，PN结内部结构的特殊性是：

具有三极管的电流放大作用的三极管PN结内部结构的特殊性1:dd dtt. com便于发射结发射电子，发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半导体的掺杂溶度，且发射结的面积较小。

具有三极管的电流放大作用的三极管PN结内部结构的特殊性2:发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体，但发射区的掺杂溶度要高于集电区的掺杂溶度，且集电结的面积要比发射结的面积大，便于收集电子。

具有三极管的电流放大作用的三极管PN结内部结构的特殊性3:联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄，且掺杂溶度也很低。

上述的结构特点是三极管具有电流放大作用的内因。要使三极管具有电流的放大作用，除了三极管的内因外，三极管的主要作用_三极管的放大作用还要有外部条件。三极管的发射极为正向偏置，集电结为反向偏置是三极管具有电流放大作用的外部条件。

放大器是一个有输入和输出端口的四端网络，要将三极管的三个引脚接成四端网络的电路，必须_{ssbbww. c om}将三极管的一个脚当公共脚。取发射极当公共脚的放大器称为共发射极放大器，基本共发射极放大器的电路
如图5-4所示_ssBbww。

图5-4中的基极和发射极为输入端，集电极和发射极为输出端，发射极是该电路输入和输出的公共端，8ttt8，该电路称为共发射极电路。

图5-4中的ui是要放大的输入信号，uo是放大ssbbww的输出信号，VBB是基极电源，该电源的作用是使三极管的发射结处在正向偏置的www .ddd Tt. com，VCC是集电极电源，该电源的作用是使三极管的集电结处在反向偏置的www .ddd Tt. com，RC是集电极电阻。

2、共发射极电路三极管内部载流子的运动8 tt t 8. com(三极管的主要作用_三极管的放大作用的过程)
共发射极电路三极管内部载流子运动8 tt t 8. com的示意图如图5-5所示_ssBbww。图5-5中载流子的运动规律可分为以下的几个过程。

（1）发射区向基区发射电子的过程

发射结处在正向偏置，使发射区的多数载流子（自由电子）ssbbww.Com的通过发射结扩散到基区，即向基区发射电子。与此ssbbww. com，基区的空穴也会扩散到发射区，www.ddd tt. com两者掺杂溶度上的悬殊，形成发射极电流IE的载流子主要是电子，电流的方向与电子流的方向相反。发射区所发射的电子由电源EC的负极来补充。

（2）电子在基区中的扩散与复合的过程

扩散到基区的电子，将有一小部分与基区的空穴复合，ssbbww. com基极电源EBssbbww.Com的向基区提供空穴，形成基极电流IB。www.ddd tt. com基区掺杂的溶度很低，且很薄，在基区与空穴复合的电子很少，8ttt8，基极电流IB也很小。扩散到基区的电子除了被基区复合掉的一小部分外，大量的电子将在惯性的作用下继续向集电结扩散。

（3）集电结收集电子的过程

反向偏置的集电结在阻碍集电区向基区扩散电子的ssbbww. com，空间电荷区将向基区延伸，因集电结的面积很大，延伸进基区的空间电荷区使基区的厚度进一步变薄，使发射极扩散来的电子更

Dddtt

在惯性的作用下进入空间电荷区。集电结的空间电荷区，可将发射区扩散进空间电荷区的电子迅速推向集电极，相当于被集电极收集。集电极收集到的电子由集电极电源Ec吸收，形成集电极电流IC。

3、三极管的电流分配关系和电流放大系数(三极管的主要作用_三极管的放大作用的放大系数)

根据上面的分析和节点电流定律可得，三极管三个电极的电流IE、IB、IC之间的关系为：

IE=IB+IC

三极管的特殊结构使IC大大于IB，令

=IC/IB
称为三极管的直流电流放大倍数。它是描述三极管基极电流对集电极电流控制能力大小的物理量，大的管子，基极电流对集电极电流控制的能力就大。 是由晶体管的结构来决定的，一个管子做成ssbbww，该管子的就确定了。